屏蔽效应与化学位移
为什么化学位移大屏蔽效应小？
为什么化学位移大屏蔽效应小？
因为屏蔽效应增加，说明原子实际受到的磁场强度变小，因此需要更高的磁场才行，于是它就像高场移动了。所以表现出来就是位移越来越小了。
由于其他电子对某一电子的排斥作用而抵消了一部分核电荷，从而引起有效核电荷的降低，削弱了核电荷对该电子的吸引，这种作用称为屏蔽作用或屏蔽效应。
为什么屏蔽效应增大化学位移减小？
因为屏蔽效应增加，说明原子实际受到的磁场强度变小，因此需要更高的磁场才行，于是它就像高场移动了。所以表现出来就是位移越来越小了。
由于其他电子对某一电子的排斥作用而抵消了一部分核电荷，从而引起有效核电荷的降低，削弱了核电荷对该电子的吸引，这种作用称为屏蔽作用或屏蔽效应。
为什么化学位移小的氢核屏蔽效应强？
氢核本身是s层电子，以抗磁屏蔽效应为主导。
电子密度越大，抗磁屏蔽效应越强，要使得其核发生自旋共振的能量就越高，这就是高场。
而标准物质四甲基硅上氢核的电子密度相对很大，以它为零的话，高场的化学位移就小。
核磁共振屏蔽效应原理？
当核自旋时，核周围的云也随之转动，在外磁场作用下，会感应产生一个与外加磁场方向相反的次级磁场，使外磁场减弱，这种作用称为屏蔽效应。由于氢核具有不同的屏蔽常数σ，引起外磁场或共振频率的移动这种现象称为化学位移。
化学位移来源于核外电子云的磁屏蔽效应 原子核总是处在核外电子的包围中，电子的运动形成电子云。若处于磁场的作用之下，核外电子会在垂直外磁场方向的平面上作环流运动，从而产生一个与外磁场方向相反的感生磁场---屏蔽效应。元素的电负性越大，去屏蔽效应越大，氢核的化学位移δ值越大。
影响化学位移的因素有哪些？
定义：由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应,因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰.
某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移（chemical shift）,常以δ表示。
影响因素
内因：有吸电子基团的向低场移动（因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高）；共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动)；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间（不是苯环上）的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。
外因：溶剂，温度（低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的）
重要性：
这是用来推测分子结构的重要参数.不同的官能团在相同的频率下对应的有不同的化学位移数,但是化学位移的差别约为百万分之十,精确测量十分困难,现采用相对数值.以四甲基硅（TMS）为标准物质,规定：它的化学位移为零,然后,根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定它们的化学位移值.然后根据谱图便可以推测分子结构了.